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IRF8707TR(UMW)
N沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- 针对同步降压操作中的关键参数（包括导通电阻RDS(ON)和栅极电荷）进行了优化，以降低传导和开关损耗。较低的总损耗使其非常适合为笔记本电脑和网络通信应用中的新一代处理器供电的高效DC-DC转换器。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRF8707TR(UMW)
- 商品编号
- C18214399
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
该产品针对同步降压操作中的关键参数进行了优化，包括RDS(ON)和栅极电荷，以降低导通损耗和开关损耗。降低的总损耗使其成为为笔记本和网络通信应用中的最新一代处理器供电的高效率DC-DC转换器的理想选择。
商品特性
- VDS = 30V
- ID = 11A
- RDS(ON) < 11.9mΩ (VGS = 10V)
- RDS(ON) < 17.5mΩ (VGS = 4.5V)
应用领域
- 用于笔记本处理器电源的同步降压转换器中的控制MOSFET
- 网络系统中隔离式DC-DC转换器的控制MOSFET