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NTD5867NLT4G(UMW)
N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 特性：VDS(V) = 60V。 ID = 20A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 39mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 50mΩ (VGS = 4.5V)。 低RDS(ON)。 高电流能力
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- NTD5867NLT4G(UMW)
- 商品编号
- C18214394
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.469325克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V；33mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 675pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 68pF |
商品特性
- V_DS(V) = 60V
- I_D = 20A
- R_DS(ON) < 39mΩ (V_GS = 10V)
- R_DS(ON) < 50mΩ (V_GS = 4.5V)
- 低导通电阻
- 高电流能力