温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDS6685(UMW)
P沟道 耐压:30V 电流:8.8A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：这是一款采用先进PowerTrench工艺的坚固栅极版本P沟道MOSFET，针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V-25V）的电源管理应用进行了优化。 VDS(V) = -30V。 ID = -8.8A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 20mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 4.5V）。 高功率和电流处理能力。 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(on)。 低栅极电荷（典型值17nC）。 快速开关速度
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDS6685(UMW)
- 商品编号
- C18214387
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1986克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.604nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 202pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 408pF |
商品概述
该P沟道MOSFET是基于先进PowerTrench工艺的坚固栅极版本。它针对需要宽范围栅极驱动电压（4.5V – 25V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 漏源电压V_DS = -30V
- 漏极电流I_D = -8.8A
- 导通电阻R_DS(on) < 20mΩ (栅源电压V_GS = -10V)
- 导通电阻R_DS(on) < 35mΩ (栅源电压V_GS = -4.5V)
- 高功率和电流处理能力
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻R_DS(on)
- 低栅极电荷（典型值17nC）
- 快速开关速度