温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTD6416ANT4G-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有100V耐压及高达20A的连续电流承载能力，专为高性能电子设备设计，应用于电源转换、电机控制等领域，提供卓越的功率开关效能与稳定性。
- 商品型号
- NTD6416ANT4G-HXY
- 商品编号
- C18198386
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.386029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@4.5V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交6单