LESD8D12CT5G
双向 1路 Vrwm:12V
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描述
这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为12V系统提供高级别的单通道保护。具备高达8A的峰值脉冲电流IPP能力，有效吸收和抑制双向瞬态ESD冲击，确保电子设备免受静电损害。8pF低结电容设计有助于保持高速信号线路传输质量，是现代高性能接口及便携式电子设备的理想ESD防护解决方案。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
LESD8D12CT5G商品编号
C18198395商品封装
DFN1006-2L包装方式
编带
商品毛重
0.010186克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 12V | |
| 最大钳位电压 | 17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 8A | |
| 击穿电压 | 13.3V | |
| 通道数 | 单路 | |
| 类型 | ESD |
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