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SI4559ADY-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:6A
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- 描述
- 这款消费级N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，适用于60V电压环境，额定电流6A。双通道设计支持正负电压控制，广泛应用于电池管理、电源转换器等场景，具备低导通电阻和高效开关性能，是现代电子设备理想的双向功率开关组件。
- 商品型号
- SI4559ADY-HXY
- 商品编号
- C18198387
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215605克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
SI4559ADY采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 6A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 48 mΩ
- 漏源电压（VDS） = -60V，漏极电流（ID） = -5A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 85 mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机
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