SI9945BDY-T1-HXY
2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
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描述
此款SOP-8封装的消费级双N沟道MOSFET，专为高耐压、大电流应用设计，额定电压60V，连续通过电流高达6.5A。卓越的开关效能与低导通电阻使其成为充电器、电源模块和高效能电子设备的理想选择，确保在各种电源转换场景下实现可靠且节能的性能表现。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
SI9945BDY-T1-HXY商品编号
C18198388商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.179331克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 36mΩ@10V |
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