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SI9945BDY-T1-HXY
2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
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- 描述
- 此款SOP-8封装的消费级双N沟道MOSFET，专为高耐压、大电流应用设计，额定电压60V，连续通过电流高达6.5A。卓越的开关效能与低导通电阻使其成为充电器、电源模块和高效能电子设备的理想选择，确保在各种电源转换场景下实现可靠且节能的性能表现。
- 商品型号
- SI9945BDY-T1-HXY
- 商品编号
- C18198388
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.179331克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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