PESDNC2FD7VB
双向 1路 Vrwm:7V
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描述
此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管，专为7V系统设计，提供单通道高效保护。器件拥有9A峰值脉冲电流IPP能力，可有效抵御双向瞬态ESD冲击，确保电子设备不受静电损伤。其8pF低结电容特性尤其适合高速数据接口应用，兼顾卓越的信号完整性和高强度ESD防护性能。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
PESDNC2FD7VB商品编号
C18198394商品封装
DFN1006-2L包装方式
编带
商品毛重
0.009931克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 7V | |
| 最大钳位电压 | 17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 9A | |
| 击穿电压 | 7.2V | |
| 通道数 | 单路 | |
| 类型 | ESD |
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