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SI2333CDS-HXY
耐压:18V 电流:6.5A
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- 描述
- 这款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，额定电压为20V，具备高达7A的大电流承载能力。凭借其低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于电池保护、电源转换等高效率电子设备中，实现稳定可靠的功率控制。
- 商品型号
- SI2333CDS-HXY
- 商品编号
- C18198389
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042697克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |