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TM50G04GD
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:55A
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- 描述
- N沟道,40V,55A,4.2mΩ@10v,P沟道,-40V,-48A,11mΩ@-10v
- 品牌名称
- TMC(台懋)
- 商品型号
- TM50G04GD
- 商品编号
- C18186757
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V；11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V；1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V；22.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.38nF；2.557nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 148pF；127pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF；220pF |
商品概述
- 低导通电阻RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- N沟道:
- 漏源电压VDS = 40V,漏极电流ID = 55A
- 漏源导通电阻RDS(ON) = 4.2mΩ(典型值),栅源电压VGS = 10V
- P沟道:
- 漏源电压VDS = -40V,漏极电流ID = -48A
- 漏源导通电阻RDS(ON) = 11mΩ(典型值),栅源电压VGS = -10V
- 100%进行非钳位感性负载开关(UIS)测试
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 绿色环保产品
应用领域
-负载开关-脉冲宽度调制(PWM)