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TPCA8123,L1Q实物图
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TPCA8123,L1Q

P沟道 耐压:60V 电流:50A

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描述
特性:小型,薄型実装面積小。 振抗低:Rps(ON)=8.5mΩ(標) (VGS = -10V)。 漏電流低:IDS = -10μA (最大) (VDS = -60V)。 操作简单,增强型,Vth = -2.0-3.0V(VDS = -10V, ID = -1.0mA)
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
TPCA8123,L1Q
商品编号
C180399
商品封装
SOP​
包装方式
编带
商品毛重
0.155克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))14.9mΩ@6V
耗散功率(Pd)84W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)163nC@10V
输入电容(Ciss)7nF
反向传输电容(Crss)540pF
工作温度-
类型P沟道
输出电容(Coss)-

商品特性

  • 小型、薄型,占用安装面积小。
  • 导通电阻低。RDS(ON)} = 8.5,mΩ(典型值)VGS}= -10V。
  • 漏电流低。IDSS= -10uA(最大值)VDS = -60V。
  • 驱动/开启简单,阈值电压低:Vth= -2.0 ~ -3.0V (VDS = -10V, ID = -1.0mA)。

应用领域

  • 适用于车载及现代农业设备
  • 适用于开关稳压器用途

数据手册PDF