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DMS3016SSSA-13
停产 1个N沟道 耐压:30V 电流:9.8A
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- 描述
- N沟道,30V,9.8A,13mΩ@10V,内带肖特基二极管
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMS3016SSSA-13
- 商品编号
- C155258
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.849nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 123pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 158pF |
商品特性
- DIOFET采用独特的专利工艺,将MOSFET和肖特基二极管单片集成在单个芯片中
- 低RDS(ON)——将传导损耗降至最低
- 超低VSD——增强性能以减少体二极管传导造成的损耗
- 低Qrr——集成肖特基二极管的低Qrr可降低体二极管开关损耗
- 低栅极电容(Qg / Qgs)比——降低高频下直通或交叉传导电流的风险
- 雪崩耐受能力强——有IAR和EAR额定值
- 无铅,符合RoHS标准
- “绿色”器件
- 符合AEC - Q101高可靠性标准