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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SPA04N80C3

1个N沟道 耐压:800V 电流:4A

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描述
N沟道,800V,4A,1.3Ω@10V
商品型号
SPA04N80C3
商品编号
C152441
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.64克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))1.3Ω@10V,2.5A
耗散功率(Pd)38W
阈值电压(Vgs(th))3.9V@0.24mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)31nC@10V
输入电容(Ciss)570pF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)25pF

商品特性

  • 全新革命性高压技术
  • 具备极高的dv/dt额定值
  • 高尖峰电流能力
  • 针对目标应用符合JEDEC标准
  • 引脚无铅电镀;符合RoHS标准
  • 超低栅极电荷
  • 超低有效电容
  • 全隔离封装(2500 VAC;1分钟)

应用领域

  • 高直流母线电压的工业应用
  • 开关应用(如有源钳位正激电路)

数据手册PDF