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IRF7410GTRPBF
1个P沟道 耐压:12V 电流:16A
- 描述
- P沟道,12V,16A,7mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7410GTRPBF
- 商品编号
- C152423
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V,16A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
商品概述
这些P沟道HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了极低的单位硅片面积导通电阻。这一优势为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于电池和负载管理应用。 SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，具有更好的热特性和多芯片封装能力，使其非常适合各种功率应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可大幅减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。
商品特性
- 超低导通电阻
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 无铅
- 无卤