MB85RS4MLYPF-G-BCERE1

MB85RS4MLY是一款铁电随机存取存储器（FeRAM）芯片，配置为524,288字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。该产品适用于高温环境应用。MB85RS4MLY采用串行外设接口（SPI）。 MB85RS4MLY无需像静态随机存取存储器（SRAM）那样使用备用电池即可保留数据。MB85RS4MLY中使用的存储单元可进行10^13次读写操作，这比闪存和E²PROM支持的读写操作次数有显著提高。由于MB85RS4MLY在写入过程中无需任何等待时间，其写入周期时间比闪存或E²PROM短得多。

• 位配置：524,288字×8位
• 特殊扇区区域：256字×8位，在此区域内，基于JEDEC MSL - 3标准条件进行三次回流后的数据存储得到保证。
• 唯一ID
• 序列号：64位，在此区域内，基于JEDEC MSL - 3标准条件进行三次回流后的数据存储得到保证。
• 串行外设接口：SPI（串行外设接口），对应SPI模式0（0, 0）和模式3（1, 1）
• 工作频率：50 MHz（最大）
• 高耐久性：10^13次/字节
• 数据保留时间：50.4年（+85 °C）；13.7年（+105 °C）；4.2年（+125 °C）或更久，在+125 °C下评估超过4.2年
• 工作电源电压：1.7 V至1.95 V
• 低功耗：工作电源电流3.5 mA（50 MHz时最大），待机电流340 μA（最大）
• 工作环境温度范围：- 40 °C至+125 °C
• 封装：8引脚塑料SOP 208mil；8引脚塑料DFN 5mm×6mm
• 符合RoHS标准