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UCC27282QDRCTQ1实物图
  • UCC27282QDRCTQ1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UCC27282QDRCTQ1

具备交叉导通保护和低开关损耗的汽车级120V半桥驱动器

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描述
具有 5V UVLO、互锁功能和使能功能的汽车类 3A、120V 半桥驱动器 10-VSON -40 to 125
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
UCC27282QDRCTQ1
商品编号
C1518702
商品封装
VSON-10-EP(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)3.5A
拉电流(IOH)2.5A
工作电压5.5V~16V
上升时间(tr)12ns
属性参数值
下降时间(tf)10ns
传播延迟 tpLH16ns
传播延迟 tpHL16ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+150℃
输入高电平(VIH)1.9V~2.4V
输入低电平(VIL)900mV~1.3V
静态电流(Iq)300uA

商品概述

UCC27282-Q1是一款坚固耐用的N沟道MOSFET驱动器,其开关节点(HS)的最大额定电压为100 V。它允许以半桥或同步降压配置为基础的拓扑结构来控制两个N沟道MOSFET。其3.5 A的峰值灌电流和2.5 A的峰值拉电流,再加上低上拉和下拉电阻,使得UCC27282-Q1能够在MOSFET米勒平台过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入与电源电压无关,UCC27282-Q1可与模拟和数字控制器配合使用。 输入引脚以及HS引脚能够承受显著的负电压,这提高了系统的稳健性。输入互锁功能进一步提高了高噪声应用中的稳健性和系统可靠性。使能和禁用功能通过降低驱动器的功耗并响应系统内的故障事件,为系统提供了额外的灵活性。5 V的欠压锁定(UVLO)功能允许系统在较低的偏置电压下运行,这在许多高频应用中是必要的,并能在某些工作模式下提高系统效率。较小的传播延迟和延迟匹配规格将死区时间要求降至最低,从而进一步提高了效率。 高端和低端驱动器级均提供欠压锁定(UVLO)功能,若VDD电压低于指定阈值,则强制输出为低电平。集成的自举二极管在许多应用中无需外部分立二极管,从而节省了电路板空间并降低了系统成本。UCC27282-Q1采用小封装,可实现高密度设计。

商品特性

  • 通过AEC-Q100认证,结果如下
  • 温度等级1(Tj = -40℃至150℃)
  • HBM ESD分类等级1B
  • CDM ESD分类等级C3
  • 可驱动高端和低端配置的两个N沟道MOSFET
  • 典型欠压锁定电压为5 V
  • 输入互锁功能
  • DRC封装具备使能/禁用功能
  • 典型传播延迟为16 ns
  • 负载为1.8 nF时,上升时间为12 ns,下降时间为10 ns
  • 典型延迟匹配为1 ns
  • 输入可承受的绝对最大负电压(-5 V)
  • HS可承受的绝对最大负电压(–14 V)
  • 灌电流3.5 A,拉电流2.5 A
  • 自举电压绝对最大值为120 V
  • 禁用时电流消耗低(7 μA)
  • 集成自举二极管

应用领域

  • 汽车DC/DC转换器
  • 电动助力转向系统
  • 车载充电器(OBC)
  • 集成式皮带启动发电机(iBSG)
  • 汽车HVAC压缩机模块

优惠活动

购买数量

(250个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个250个/圆盘

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