- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MB85RS2MTYPNF-G-AWERE2
采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺的SPI接口非易失性FRAM芯片，无需备用电池，读写耐久性高，低功耗
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- 商品型号
- MB85RS2MTYPNF-G-AWERE2
- 商品编号
- C1518699
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 工作状态指示 |
商品概述
MB85RS2MTY是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为262,144字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。该产品适用于高温环境应用。MB85RS2MTY采用串行外设接口（SPI）。 MB85RS2MTY无需像静态随机存取存储器（SRAM）那样使用备用电池即可保留数据。MB85RS2MTY中使用的存储单元可进行10的13次方次读写操作，这比闪存和E²PROM支持的读写操作次数有显著提高。由于MB85RS2MTY在写入过程中无需任何等待时间，其写周期时间比闪存或E²PROM短得多。
商品特性
- 位配置：262,144字×8位
- 串行扇区区域：256字×8位。在此区域内，根据JEDEC MSL - 3标准条件，经过三次回流焊后的数据存储得到保证。
- 唯一ID
- 序列号
- 串行外设接口：SPI（串行外设接口），对应SPI模式0（0, 0）和模式3（1, 1）
- 工作频率：50 MHz（最大）
- 高耐久性：10的13次方次/字节
- 数据保留时间：10年（+85 °C）；2.75年（+105 °C）；0.85年（+125 °C）或更长。在+125 °C下评估超过2.5年
- 工作电源电压：1.8 V至3.6 V
- 低功耗：工作电源电流4 mA（50 MHz时最大）；待机电流220 μA（最大）；深度掉电电流30 μA（最大）
- 工作环境温度范围： - 40 °C至+125 °C
- 封装：8引脚塑料SOP 150mil；8引脚塑料DFN 5mm×6mm
- 符合RoHS标准