FDV301N
1个N沟道 耐压:25V 电流:0.22A
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- 描述
- 此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻，所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDV301N
- 商品编号
- C15310
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@2.7V,0.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.06V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
商品概述
这款 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度 DMOS 技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件专为低压应用而设计，可替代数字晶体管。由于无需偏置电阻，这一个 N 沟道场效应管可替代多个不同偏置电阻值的数字晶体管。
商品特性
- 25 V，连续电流 0.22 A，峰值电流 0.5 A。
- 当 VGS = 2.7 V 时，RDS(ON) = 5 Ω
- 当 VGS = 4.5 V 时，RDS(ON) = 4 Ω
- 栅极驱动要求极低，可在 3V 电路中直接工作。VGS(th) < 1.06V。
- 栅源齐纳二极管增强 ESD 耐受性。人体模型 >6kV
- 用一个 DMOS 场效应管替代多个 NPN 数字晶体管。