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DMC3021LSD-13
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC3021LSD-13
- 商品编号
- C144163
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A；7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V；30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.45V@250uA；1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.1nC@10V；21.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 767pF；1.002nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF；118pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF；125pF |
商品概述
这款MOSFET经过设计，可将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-互补对MOSFET-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-该器件符合JEDEC标准(参考AEC-Q),具备高可靠性-另有符合汽车应用标准的型号(DMC3021LSDQ),其数据手册单独提供
应用领域
- 电源管理功能-模拟开关-负载开关