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DMP1045UFY4-7
1个P沟道 耐压:12V 电流:5.5A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP1045UFY4-7
- 商品编号
- C145094
- 商品封装
- XFDFN-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@1.8V,3.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.7nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.291nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 242pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 266pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电（ESD）防护能力高达3kV
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证，具备高可靠性
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电源管理功能
- 模拟开关