温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FZT855TA
NPN 电流:5A 电压:150V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：BVCEO > 150V。 高连续集电极电流：IC = 5A。 峰值脉冲电流：ICM = 10A。 极低饱和电压：VCE(sat) < 110mV @ 1A。 低等效导通电阻：RCE(sat) = 50mΩ。 高增益保持：hFE 规定至 10A。 互补 PNP 类型。 无铅涂层。 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，绿色器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- FZT855TA
- 商品编号
- C145106
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.232克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 150V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 直流电流增益(hFE) | 10@10A,5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 10MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 110mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO）> 150 V
- 集电极连续电流高，IC = 5 A
- 脉冲峰值电流 ICM = 10 A
- 极低饱和电压，在 1 A 电流下 VCE(sat) < 110 mV
- 等效导通电阻低，RCE(sat) = 50 mΩ
- 高增益维持，hFE 规格高达 10 A
- 互补 PNP 型：FZT955
- 无铅表面处理；符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件