温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN2004VK-7
2个N沟道 耐压:20V 电流:540mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：双 N 沟道 MOSFET。 低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 超小表面贴装封装。 ESD 保护栅极。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2004VK-7
- 商品编号
- C145115
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 540mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@2.5V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 双N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 超小型表面贴装封装
- 栅极ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件