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ZVN4525ZTA
1个N沟道 耐压:250V 电流:240mA
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- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZVN4525ZTA
- 商品编号
- C145112
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5Ω@2.4V,20mA | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款新一代 MOSFET 的设计旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 无铅涂层；符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 电源管理功能-电池供电系统和固态继电器-驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
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