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DMN1019UVT-7
1个N沟道 耐压:12V 电流:10.7A
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- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN1019UVT-7
- 商品编号
- C145104
- 商品封装
- TSOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@1.2V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.73W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50.4nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.588nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 394pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 415pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-栅极具备ESD保护-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-负载开关-DC-DC转换器-电源管理功能