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IRL630SPBF

1个N沟道耐压:200V 电流:9A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRL630SPBF
商品编号: C141560
商品封装: TO-263-2
包装方式: 编带
商品毛重: 2克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。

商品特性

符合IEC 61249 - 2 - 21定义的无卤要求
表面贴装
提供卷带包装
动态dV/dt额定值
重复雪崩额定值
逻辑电平栅极驱动
在VGS = 4 V和5 V时规定RDS(on)
工作温度为150°C
符合RoHS指令2002/95/EC

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	9A
	导通电阻(RDS(on))	500mΩ@4V,4.5A
	耗散功率(Pd)	7.4W
	阈值电压(Vgs(th))	2V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	40nC@10V
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-