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DMT4N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- 打线工艺
- 品牌名称
- DIYI(迪一/芯诺)
- 商品型号
- DMT4N65
- 商品编号
- C130764
- 商品封装
- TO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 106W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 2.4Ω
- 快速开关能力
- 符合欧盟RoHS指令的无铅产品
- 环保模塑化合物