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NCE01P18K
1个P沟道 耐压:100V 电流:18A
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- 描述
- P沟道,-100V,-18A,100mΩ@-10V
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE01P18K
- 商品编号
- C115990
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.547克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.81nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 129pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用仙童半导体先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可将导通电阻降至最低。 该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
商品特性
- VDS = -100V, ID = -18A
- RDS(ON)< 100 m Ω@ VGS=-10 V (典型值:85 m Ω )
- RDS(ON)< 120 m Ω@ VGS=-10 V (典型值:95 m Ω )
- 超高密度单元设计
- 先进的沟槽工艺技术
- 可靠耐用
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
应用领域
-笔记本电脑电源管理-便携式设备和电池供电系统
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