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NCE01P30K
1个P沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- NCE01P30K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景，具备静电放电（ESD）保护功能。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE01P30K
- 商品编号
- C115991
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 136nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.81nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 93pF |
商品概述
NCE0117采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -100V,ID = -30A
- RDS(ON) < 58 m Ω(在 VGS = -10 V 时,典型值为 44 m Ω)
- RDS(ON) < 65 m Ω(在 VGS = -4.5 V 时,典型值为 48 m Ω)
- 超高密度单元设计
- 先进的沟槽工艺技术
- 可靠耐用
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
应用领域
- 便携式设备和电池供电系统