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MMBT7002

1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA

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描述
N沟道
品牌名称
ST(先科)
商品型号
MMBT7002
商品编号
C116031
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.028克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)115mA
导通电阻(RDS(on))7.5Ω@10V
耗散功率(Pd)200mW
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)50pF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)25pF

商品概述

NCE6003Y采用先进的沟槽技术,可提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
  • 电压控制小信号开关
  • 高饱和电流能力
  • 高速开关

应用领域

-电池开关-DC/DC转换器

数据手册PDF