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MMBT7002
1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
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- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- ST(先科)
- 商品型号
- MMBT7002
- 商品编号
- C116031
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
NCE6003Y采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 3A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 105 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 125 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
-电池开关-DC/DC转换器