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NCE01P13K
1个P沟道 耐压:100V 电流:13A
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- 描述
- 新洁能PMOS管 100V 13A 170mΩ
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE01P13K
- 商品编号
- C115989
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.547克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V,16A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
NCE01P13K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景，具备静电放电（ESD）保护功能。
商品特性
- 漏源电压VDS = -100V，漏极电流ID = -13A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 200mΩ（典型值：170mΩ）
- 超高密度单元设计
- 先进的沟槽工艺技术
- 可靠耐用
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器