温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO6800
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
AO6800采用先进的沟槽技术，可提供出色的 RDS(on) 、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。