温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AON7421
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@2.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 563pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 823pF |
商品概述
AON7421将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的 RDS(on)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 绿色产品
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 100%进行了栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 负载开关
- 电池保护