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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AOTF10N60

1个N沟道 耐压:600V

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描述
采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在在流行的AC-DC应用中提供高水平的性能和稳定性。通过提供低PDS(导通状态)、Ciss和Criss以及有保证的雪崩能力,这些产品可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
品牌名称
AOS
商品型号
AOTF10N60
商品编号
C115845
商品封装
TO-220F-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.51克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))750mΩ@10V,5A
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))4.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)40nC@10V
输入电容(Ciss)1.6nF
反向传输电容(Crss)11pF
工作温度-
类型-
输出电容(Coss)160pF

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