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AO8820
2个N沟道 耐压:20V 电流:30A
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- 描述
- 双N沟 20V 7A
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO8820
- 商品编号
- C115834
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.156克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
AO8820采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作，同时保持12V的最大栅源电压VGS(MAX)额定值。该器件具备静电放电（ESD）保护功能。凭借其共漏极配置，此器件适用于作为单向或双向负载开关。