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AO4616
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO4616
- 商品编号
- C115831
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.205克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 235pF |
商品概述
AO4616采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这种互补型N沟道和P沟道MOSFET配置非常适合低输入电压逆变器应用。
商品特性
- 100%进行UIS测试
- 100%进行Rq测试
- 具备ESD保护