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NCE0117
1个N沟道 耐压:100V 电流:17A
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- 描述
- N沟道，100V，17A，56毫欧
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE0117
- 商品编号
- C110913
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.769克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺针对导通电阻和开关损耗进行了优化。添加了G - S齐纳二极管以提高ESD电压水平。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在栅源电压（VGS） = 10 V且漏极电流（ID） = 8 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 22.5 mΩ
- 在栅源电压（VGS） = 4.5 V且漏极电流（ID） = 7 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 31 mΩ
- 人体模型（HBM）静电放电（ESD）保护等级典型值 > 6 kV
- 与其他沟槽技术相比，栅极电荷（Qg）和栅漏电荷（Qgd）极低
- 开关速度快
- 经过100%非钳位电感开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC - DC转换
- 逆变器
- 同步整流器