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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE3420

1个N沟道 耐压:20V 电流:9A

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描述
N沟道,20V,6A,20mΩ@4.5V;功能同SI2300/SI2302,内阻更低,电流更大。
商品型号
NCE3420
商品编号
C113771
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.045克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))35mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)-

商品概述

NCE0117K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = 20 V, ID = 6 A
  • RDS(ON) < 35 m Ω(@ VGS = 2.5 V)
  • RDS(ON) < 28 m Ω(@ VGS = 4.5 V)
  • 高功率和电流处理能力
  • 符合无铅产品要求
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 单向负载开关
  • 双向负载开关

数据手册PDF