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BLM2302
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.9A
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- 描述
- N沟道,20V,2.9A,30mΩ@4.5V
- 品牌名称
- BL(上海贝岭)
- 商品型号
- BLM2302
- 商品编号
- C110999
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
AOD4186将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻。该器件非常适合低压逆变器应用。
商品特性
- VDS = 20V, ID = 2.9A
- RDS(ON) < 59 m Ω(@ VGS = 2.5 V)
- RDS(ON) < 45 m Ω(@ VGS = 4.5 V)
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理