PMV16XNR
1个N沟道 耐压:20V 电流:6.8A
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- 品牌名称Nexperia(安世)
商品型号
PMV16XNR商品编号
C110920商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.024克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@4.5V,6.8A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 510mW;6.94W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 20.2nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.24nF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
It can replace PMV16XNR
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
PMV31XN
V DS drain-source voltage - 20 V
V GS gate-source voltage
T j = 25 °C
-12 12 V
V GS = 4.5 V; T amb = 25 °C; t ≤ 5 s [1] - 8.6 A
V GS = 4.5 V; T amb = 25 °C [1] - 6.8 A
I D drain current
V GS = 4.5 V; T amb = 100 °C [1] - 4.3 A
I DM peak drain current T amb = 25 °C; single pulse; t p ≤ 10 μs - 27 A
[2] - 510 mW T amb = 25 °C
[1] - 1200 mW
P tot total power dissipation
T sp = 25 °C - 6940 mW
T j junction temperature -55 150 °C
T amb ambient temperature -55 150 °C
T stg storage temperature -65 150 °C
Source-drain diode
I S source current T amb = 25 °C [1] - 1.2 A
[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and mounting pad
for drain 6 cm 2 .
[2] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
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