PMV16XNR

1个N沟道耐压:20V 电流:8.6A

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描述: 6.8A,N-MOS
品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: PMV16XNR
商品编号: C110920
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.024克(g)

商品参数

It can replace PMV16XNR

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

PMV31XN

Symbol Parameter Conditions Min Max Unit
V DS drain-source voltage - 20 V
V GS gate-source voltage
T j = 25 °C
-12 12 V
V GS = 4.5 V; T amb = 25 °C; t ≤ 5 s [1] - 8.6 A
V GS = 4.5 V; T amb = 25 °C [1] - 6.8 A
I D drain current
V GS = 4.5 V; T amb = 100 °C [1] - 4.3 A
I DM peak drain current T amb = 25 °C; single pulse; t p ≤ 10 μs - 27 A
[2] - 510 mW T amb = 25 °C
[1] - 1200 mW
P tot total power dissipation
T sp = 25 °C - 6940 mW
T j junction temperature -55 150 °C
T amb ambient temperature -55 150 °C
T stg storage temperature -65 150 °C
Source-drain diode
I S source current T amb = 25 °C [1] - 1.2 A
[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and mounting pad
for drain 6 cm 2 .
[2] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard footprint.

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	8.6A
	导通电阻(RDS(on))	20mΩ@4.5V,6.8A
	耗散功率(Pd)	1.2W
	阈值电压(Vgs(th))	900mV@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	20.2nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	1.24nF
	反向传输电容(Crss)	125pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	145pF