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PMV16XNR

环保标识
  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)20mΩ@4.5V,6.8A
属性参数值
功率(Pd)510mW;6.94W
阈值电压(Vgs(th)@Id)900mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)20.2nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)1.24nF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

It can replace PMV16XNR

 

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
PMV31XN
 
Symbol Parameter Conditions Min Max Unit
V DS drain-source voltage - 20 V
V GS gate-source voltage
T j = 25 °C
-12 12 V
V GS = 4.5 V; T amb = 25 °C; t ≤ 5 s [1] - 8.6 A
V GS = 4.5 V; T amb = 25 °C [1] - 6.8 A
I D drain current
V GS = 4.5 V; T amb = 100 °C [1] - 4.3 A
I DM peak drain current T amb = 25 °C; single pulse; t p ≤ 10 μs - 27 A
[2] - 510 mW T amb = 25 °C
[1] - 1200 mW
P tot total power dissipation
T sp = 25 °C - 6940 mW
T j junction temperature -55 150 °C
T amb ambient temperature -55 150 °C
T stg storage temperature -65 150 °C
Source-drain diode
I S source current T amb = 25 °C [1] - 1.2 A
[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and mounting pad
for drain 6 cm 2 .
[2] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard footprint.

 

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