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PMV30UN2R
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- N-Channel-MOS-FetPMV30UN2R
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV30UN2R
- 商品编号
- C112654
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 655pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的小尺寸SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 低阈值电压
- 极快的开关速度
- 增强的1000 mW功率耗散能力
应用领域
- LED驱动器
- 电源管理
- 低端负载开关
- 开关电路
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