2N5551S-RTK/P
电流:600mA 电压:160V
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- 描述
- 特性:高集电极击穿电压:VCBO = 180V,VCEO = 160V。 低泄漏电流:ICBO = 50mA(Max.),VCP = 120V。 低饱和电压:VCE(sat) = 0.2V(Max.),IC = 50mA,IB = 5mA。 低噪声:NF = 8dB (Max.)
- 品牌名称
- KEC
- 商品型号
- 2N5551S-RTK/P
- 商品编号
- C112669
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | - | |
| 集电极电流(Ic) | 600mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 160V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 80@10mA,5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 300MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV@50mA,5mA | |
| 工作温度 | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
优惠活动
购买数量
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起订量:50 个3000个/圆盘
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