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LTC4412ES6#PBF

低损耗PowerPath控制器

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描述: LTC4412 控制外部P沟道MOSFET以创建接近理想的二极管功能，用于电源切换或负载共享。这允许高效地将多个电源并联，从而延长电池寿命并减少自发热。当导通时，MOSFET上的电压降通常为20mV。对于使用墙式适配器或其他辅助电源的应用，在连接辅助电源时，负载会自动与电池断开。可以互连两个或更多个LTC4412，以允许多个电池之间的负载共享，或从单个充电器对多个电池进行充电。宽范围的供电支持一到六个串联锂离子电池的操作。低静态电流（典型值11µA）与负载电流无关。栅极驱动器包括内部电压箝位，用于保护MOSFET。当检测到辅助电源时，STAT引脚可用于使能辅助P沟道MOSFET电源开关。该引脚也可用于向微控制器指示已连接辅助电源。控制（CTL）输入允许用户强制主MOSFET关闭并将STAT引脚拉低。LTC4412采用低剖面（1mm）ThinSOT封装。
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: LTC4412ES6#PBF
商品编号: C107968
商品封装: TSOT-23-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.256克(g)

商品参数

商品概述

LTC4412 控制外部P沟道MOSFET以创建接近理想的二极管功能，用于电源切换或负载共享。这允许高效地将多个电源并联，从而延长电池寿命并减少自发热。当导通时，MOSFET上的电压降通常为20mV。对于使用墙式适配器或其他辅助电源的应用，在连接辅助电源时，负载会自动与电池断开。可以互连两个或更多个LTC4412，以允许多个电池之间的负载共享，或从单个充电器对多个电池进行充电。

宽范围的供电支持一到六个串联锂离子电池的操作。低静态电流（典型值11µA）与负载电流无关。栅极驱动器包括内部电压箝位，用于保护MOSFET。

当检测到辅助电源时，STAT引脚可用于使能辅助P沟道MOSFET电源开关。该引脚也可用于向微控制器指示已连接辅助电源。控制（CTL）输入允许用户强制主MOSFET关闭并将STAT引脚拉低。

LTC4412采用低剖面（1mm）ThinSOT封装。

应用领域

手机
笔记本电脑和手持式计算机
数码相机
USB供电外设
不间断电源
逻辑控制电源开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	理想二极管/ORing控制器
	输入电压(Vin)	2.5V~28V
	FET类型	外置FET
	栅极驱动电压	7V
	正向压降(Vf)	32mV

	属性	参数值
	静态电流(Iq)	11uA
	工作温度	-40℃~+85℃
	拉电流(IOH)	50uA
	灌电流(IOL)	2.5uA