NVTFS5C680NLTAG
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 特性:小尺寸(3.3x3.3mm),适合紧凑设计。 低导通电阻,以最小化传导损耗。 低电容,以最小化驱动损耗。 可焊侧翼产品。 AEC-Q101合格且具备生产件批准程序(PPAP)能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFS5C680NLTAG
- 商品编号
- C900532
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.094733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 327pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@48V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(1500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交6单
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