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NVTFS6H854NTAG
1个N沟道 耐压:80V 电流:9.5A 44A
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- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFS6H854NTAG
- 商品编号
- C900536
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A；44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.9mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W；68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.4pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低电容，以最小化驱动损耗
- 优化栅极电荷，以最小化开关损耗
- NVTFS4C25NWF - 可焊侧翼产品
- NVT前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准
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