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NVTFWS010N10MCLTAG
1个N沟道 耐压:100V 电流:57.8A
- 描述
- 适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFWS010N10MCLTAG
- 商品编号
- C900553
- 商品封装
- WDFN-5(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.097714克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 57.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 77.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.53nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
UniFET™ II MOSFET是仙童半导体基于先进的平面条纹和DMOS技术推出的高压MOSFET系列。这一先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，同时还具备卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的HBM浪涌应力。UniFET II Ultra FRFET™ MOSFET具有极为出色的体二极管反向恢复性能。其反向恢复时间（trr）小于50纳秒，反向dv/dt抗扰度为20V/纳秒，而普通平面MOSFET的反向恢复时间和反向dv/dt抗扰度分别超过200纳秒和4.5V/纳秒。因此，在某些需要改善MOSFET体二极管性能的应用中，UniFET II Ultra FRFET MOSFET可以省去额外的元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- 小尺寸封装(3.3 x 3.3 mm),适合紧凑型设计
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- NVTFWS010N10MCLTAG - 可焊侧翼产品
- 通过 AEC - Q101 认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
-LCD/LED电视-照明-不间断电源-交流-直流电源