FCU2250N80Z
1个N沟道 耐压:800V 电流:2.6A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCU2250N80Z
- 商品编号
- C900604
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 585pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
SuperFET II MOSFET是全新的高压超结(SJ)MOSFET系列,采用电荷平衡技术,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET非常适用于音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX电源和工业电源等开关电源应用。
商品特性
- 导通电阻RDS(on) = 1.87 Ω(典型值)
- 超低栅极电荷(典型值Qg = 11 nC)
- 低输出存储能量Eoss(典型值1.1 μJ @ 400V)
- 低有效输出电容(典型值Coss(eff.) = 51 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 增强了静电放电(ESD)能力
应用领域
-交流-直流电源-LED照明