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NVTFWS052P04M8LTAG
1个P沟道 耐压:40V 电流:13.2A
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- 描述
- 特性：小尺寸（3.3×3.3mm），适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低电容，以最小化驱动损耗。 可焊侧翼产品。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFWS052P04M8LTAG
- 商品编号
- C900560
- 商品封装
- WDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.089克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 69mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 23W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 424pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.3pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- NVMFWD016N06C – 可焊侧翼选项，便于光学检测
- 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准
应用领域
- 电动工具、电池供电吸尘器-无人机、物料搬运设备-电池管理系统(BMS)/储能、家庭自动化