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NVTFWS9D6P04M8LTAG
1个P沟道 耐压:40V 电流:64A
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- 描述
- 特性：小尺寸封装 (3.3×3.3mm)，适用于紧凑设计。 低导通电阻，以最小化传导损耗。 低电容，以最小化驱动损耗。 可焊侧翼产品。 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFWS9D6P04M8LTAG
- 商品编号
- C900561
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0715克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.312nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装(3.3 x 3.3 mm),适用于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- NVTFWS9D6P04M8L - 可焊侧翼产品
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准