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NVTFS6H860NLTAG
1个N沟道 耐压:80V 电流:8.1A 30A
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- 描述
- 特性：小尺寸封装（3.3x3.3mm），适合紧凑设计。 低导通电阻，可降低传导损耗。 低电容，可降低驱动损耗。 产品具有可焊侧翼。 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。 无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFS6H860NLTAG
- 商品编号
- C900538
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.1A；30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 小尺寸封装（3.3 x 3.3 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低电容，以最小化驱动损耗
- NVTFS6H888NLWF - 可焊侧翼产品
- 通过AEC - Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件无铅，符合RoHS标准
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