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NVTFS6H880NWFTAG
1个N沟道 耐压:80V 电流:22A
- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFS6H880NWFTAG
- 商品编号
- C900542
- 商品封装
- WDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 370pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装(3.3 x 3.3 mm),适用于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- NVTFS6H880NWF - 可焊侧翼产品
- 通过AEC-Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
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